实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置

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	实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置
其他题名	实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置
	汪晓波; 李江; 鄢雨; 黄哲; 王俊; 廖新胜
	2013-12-25
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2013-12-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置。本发明包含n个独立的半导体激光器单元，一线分布且高度递增，统一以一定的斜角向斜前方发射激光，首先进行快轴准直，再经过一列n个中心高度递增的柱面反射镜的反射实现慢轴准直，并转向发射到汇聚光学模块上，再经过一个透镜组透射，或者反射镜反射，汇聚为一个轮廓接近正方形或者圆形的光斑，汇聚光学模块处每个半导体激光器单元对应的光斑彼此相邻，填充比为100%、或者接近100%。光束整形后可直接使用也可耦合进入光纤后再使用。本发明在保证高光束质量的前提下，显著改善了半导体激光光斑的对称性。
其他摘要	本发明公开了实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置。本发明包含n个独立的半导体激光器单元，一线分布且高度递增，统一以一定的斜角向斜前方发射激光，首先进行快轴准直，再经过一列n个中心高度递增的柱面反射镜的反射实现慢轴准直，并转向发射到汇聚光学模块上，再经过一个透镜组透射，或者反射镜反射，汇聚为一个轮廓接近正方形或者圆形的光斑，汇聚光学模块处每个半导体激光器单元对应的光斑彼此相邻，填充比为100%、或者接近100%。光束整形后可直接使用也可耦合进入光纤后再使用。本发明在保证高光束质量的前提下，显著改善了半导体激光光斑的对称性。
主权项	实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置，其特征在于：包括半导体激光器单元（1），所述半导体激光器单元（1）与底板（4）连接，所述底板（4）还设置有柱面反射镜（2），所述柱面反射镜（2）正前方设置有汇聚光学模块（3）。
申请日期	2012-06-07
专利号	CN103472582A
专利状态	失效
申请号	CN201210185292.1
公开（公告）号	CN103472582A
IPC 分类号	G02B27/09
专利代理人	曹毅
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63812
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	汪晓波,李江,鄢雨,等. 实现高功率高亮度半导体激光器的光束整形装置. CN103472582A[P]. 2013-12-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103472582A.PDF（632KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文