ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法

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	ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法
其他题名	ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法
	魏志鹏; 田珊珊; 方铉; 唐吉龙; 李金华; 方芳; 楚学影; 王晓华; 王菲
	2014-11-12
专利权人	长春理工大学
公开日期	2014-11-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，该方法包括：硫钝化，与InP表面自体氧化物发生化学反应而清洗，并生成硫化物钝化膜，消除InP表面悬键并使InP表面与外界隔绝；对InP基片进行快速热退火，使In-S键更好的结合，并且去除InP表面多余的单质硫层；利用ALD沉积AlN薄膜，AlN薄膜将InP表面形成保护层，防止InP表面硫钝化层重新被氧化。本发明有效提高钝化质量，有效解决了硫钝化退化。
其他摘要	本发明涉及一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，该方法包括：硫钝化，与InP表面自体氧化物发生化学反应而清洗，并生成硫化物钝化膜，消除InP表面悬键并使InP表面与外界隔绝；对InP基片进行快速热退火，使In-S键更好的结合，并且去除InP表面多余的单质硫层；利用ALD沉积AlN薄膜，AlN薄膜将InP表面形成保护层，防止InP表面硫钝化层重新被氧化。本发明有效提高钝化质量，有效解决了硫钝化退化。
主权项	一种ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法，其特征在于包括以下步骤： 1）首先用丙酮、乙醇-超声波对InP衬底进行标准清洗； 2）之后将InP衬底在HF水溶液中浸泡1～2分钟； 3）接着在沸腾的(NH4)2S水溶液（～60℃）中浸泡5～30分钟，然后用去离子水冲洗； 4）用氮气吹干InP衬底并移入快速热退火炉中，对InP衬底进行快速热退火； 5）原子层沉积反应室，在原位对InP衬底沉积AlN薄膜。
申请日期	2013-05-10
专利号	CN104143760A
专利状态	失效
申请号	CN201310169847.8
公开（公告）号	CN104143760A
IPC 分类号	H01S5/028
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63783
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	魏志鹏,田珊珊,方铉,等. ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法. CN104143760A[P]. 2014-11-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104143760A.PDF（489KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文