Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法 | |
| 其他题名 | 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法 |
| 王亚楠; 李耀耀; 王庶民; 曹春芳 | |
| 2016-07-06 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 公开日期 | 2016-07-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。本发明可以使由于COD问题失效的激光器，恢复大部分工作性能，有效延长激光器的使用寿命。 |
| 主权项 | 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括： (1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构； (2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力，使得损坏的腔面自然解理，形成新的腔面。 |
| 申请日期 | 2016-03-24 |
| 专利号 | CN105742957A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201610172695.0 |
| 公开（公告）号 | CN105742957A |
| IPC 分类号 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 黄志达 |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63778 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王亚楠,李耀耀,王庶民,等. 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法. CN105742957A[P]. 2016-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105742957A.PDF（129KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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