Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法 | |
| 其他题名 | 镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法 |
| 尹继刚; 杭寅; 张连翰; 何晓明; 赵呈春 | |
| 2010-10-20 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2010-10-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法，该晶体的分子式为：YbxGdyBaF2+3x+3y，其中x为yb3+的掺杂浓度，x＝1～10mol％，y为Gd3+离子的掺杂浓度，y＝10～30mol％。采用熔体法生长。该晶体具有较大的吸收和发射截面、长荧光寿命和高的热导率，是一种高效率、高重频、高功率激光器的激光增益材料，可用于激光二极管泵浦的高重频、高功率、可调谐或超短脉冲激光器。 |
| 其他摘要 | 一种镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法，该晶体的分子式为：YbxGdyBaF2+3x+3y，其中x为yb3+的掺杂浓度，x＝1～10mol％，y为Gd3+离子的掺杂浓度，y＝10～30mol％。采用熔体法生长。该晶体具有较大的吸收和发射截面、长荧光寿命和高的热导率，是一种高效率、高重频、高功率激光器的激光增益材料，可用于激光二极管泵浦的高重频、高功率、可调谐或超短脉冲激光器。 |
| 主权项 | 一种镱钆共掺氟化钡晶体，其特征在于该晶体的分子式为：YbxGdyBaF2+3x+3y，其中x为Yb3+的掺杂浓度，x＝1～10mol％，y为Gd3+离子的掺杂浓度，y＝10～30mol％。 |
| 申请日期 | 2010-07-02 |
| 专利号 | CN101864596A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010217744.0 |
| 公开（公告）号 | CN101864596A |
| IPC 分类号 | C30B29/12 | C30B11/00 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63755 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹继刚,杭寅,张连翰,等. 镱钆共掺氟化钡晶体及其制备方法. CN101864596A[P]. 2010-10-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101864596A.PDF（224KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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