Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法 | |
其他题名 | 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法 |
酉艳宁 | |
2017-01-18 | |
专利权人 | 北京青辰光电科技有限公司 |
公开日期 | 2017-01-18 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法,其包含以下步骤:(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料;(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅;(3)二次外延上包层和接触层;(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层,可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。 |
其他摘要 | 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法,其包含以下步骤:(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料;(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅;(3)二次外延上包层和接触层;(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层,可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。 |
主权项 | 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法包含以下步骤: (1)采用MOCVD外延在N-GaAs衬底上获得一次外延材料; (2)在一次外延材料的p-InGaAsP光栅层制作光栅; (3)二次外延上包层和接触层; (4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。 |
申请日期 | 2016-11-14 |
专利号 | CN106340806A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201610996866.1 |
公开(公告)号 | CN106340806A |
IPC 分类号 | H01S5/125 | H01S5/323 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63711 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 北京青辰光电科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 酉艳宁. 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法. CN106340806A[P]. 2017-01-18. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106340806A.PDF(116KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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