一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法

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	一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法
其他题名	一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法
	酉艳宁
	2017-01-18
专利权人	北京青辰光电科技有限公司
公开日期	2017-01-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤：(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。
其他摘要	本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤：(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。
主权项	一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法包含以下步骤： (1)采用MOCVD外延在N-GaAs衬底上获得一次外延材料； (2)在一次外延材料的p-InGaAsP光栅层制作光栅； (3)二次外延上包层和接触层； (4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。
申请日期	2016-11-14
专利号	CN106340806A
专利状态	失效
申请号	CN201610996866.1
公开（公告）号	CN106340806A
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63711
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京青辰光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	酉艳宁. 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法. CN106340806A[P]. 2017-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106340806A.PDF（116KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文