単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ

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	単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ
其他题名	単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ
	デイビッド·ボーア; スコット·ダブリュー·コーザイン
	2006-12-28
专利权人	AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE LTD
公开日期	2006-12-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】VCSELに対しては、注入電流の閉じ込め、しきい値利得等に関して改善された特性を提供し、端面発光レーザに対しては、接触抵抗、注入電流等に関して改善された特性を提供するレーザ構造を得る。【解決手段】垂直量子井戸窒化物レーザを、ELOG(エピタキシャル横方向成長)によって製造する。垂直量子井戸を、横方向の成長端面であるa面上への堆積によって形成し、単一のELOG-MOCVD(有機金属気相成長)の成長ステップで横方向のp-n接合を形成する。垂直量子井戸は、a面から成長させ[11-20]配向としてもよいし、c面から成長させ[0001]配向としてもよい。本発明の垂直量子井戸は、VCSELおよび端面発光レーザのいずれにも使用することができる。【選択図】図1E
其他摘要	要解决的问题：获得激光器结构，能够关闭注入电流并为VCSEL提供阈值增益等的改进性能，并改善端面发射的接触电阻和注入电流等性能激光。 ŽSOLUTION：垂直量子阱氮化物激光器由ELOG（外延横向生长）方法制造。垂直量子阱通过沉积在表面（a）上形成，表面（a）是横向上的生长端面。同时，横向p-n结通过单个ELOG-MOCVD（金属有机化学气相沉积）步骤形成。垂直量子阱可以通过从表面（a）生长来设定[11-20]取向，或者通过从表面（c）生长来设定[0001]取向。垂直量子阱可用于VCSEL和端面发射激光器。 Ž
主权项	-
申请日期	2006-06-15
专利号	JP2006352133A
专利状态	失效
申请号	JP2006165757
公开（公告）号	JP2006352133A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	古谷聡 \| 溝部孝彦 \| 西山清春
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63699
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	デイビッド·ボーア,スコット·ダブリュー·コーザイン. 単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ. JP2006352133A[P]. 2006-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2006352133A.PDF（76KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文