反波导大光学腔半导体激光器

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	反波导大光学腔半导体激光器
其他题名	反波导大光学腔半导体激光器
	薄报学; 高欣; 王玉霞; 李辉; 卢鹏; 乔忠良; 曲轶
	2008-04-09
专利权人	长春理工大学
公开日期	2008-04-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，从而提高输出功率，同时使器件的阈值电流保持在较低水平。本发明之反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用反向线性渐变折射率结构，有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，采用多量子阱有源层使得器件具有较低的阈值电流。该技术方案可应用于各类大功率半导体激光光源的制造。
其他摘要	反波导大光学腔半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，从而提高输出功率，同时使器件的阈值电流保持在较低水平。本发明之反波导大光学腔半导体激光器的波导层采用反向线性渐变折射率结构，有效降低激光器波导的光学限制因子，增加有效波导宽度，采用多量子阱有源层使得器件具有较低的阈值电流。该技术方案可应用于各类大功率半导体激光光源的制造。
主权项	一种反波导大光学腔半导体激光器，其外延结构包括衬底(1)、限制层(2)、波导层(3)、量子阱有源层(4)及欧姆接触层(5)，波导层(3)分上、下两层，其特征在于，波导层(3)材料组分反向线性渐变，波导层(3)结构为反向线性渐变折射率结构，靠近量子阱有源层(4)处的折射率较小，随着向限制层(2)的靠近，折射率逐渐增大。
申请日期	2007-09-12
专利号	CN101159366A
专利状态	失效
申请号	CN200710153823.8
公开（公告）号	CN101159366A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/34
专利代理人	曲博
代理机构	中国兵器工业集团公司专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63647
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	薄报学,高欣,王玉霞,等. 反波导大光学腔半导体激光器. CN101159366A[P]. 2008-04-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101159366A.PDF（237KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文