一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构
其他题名	一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构
	王智勇; 吕朝蕙; 王清; 尧舜; 郑建华
	2015-02-25
专利权人	北京工业大学
公开日期	2015-02-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。
其他摘要	本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。
主权项	一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构，其特征在于：该结构由LD和GaN基HEMT两部分组成，所述LD和所述GaN基HEMT被非掺杂GaN隔离层(9)隔开；所述GaN基LD由在GaN衬底(1)上依次分子束外延生长的Al0.08Ga0.92N下包层(2)、GaN下波导层(3)、In0.02Ga0.98N注入层(4)、有源层(5)、Al0.2Ga0.8N电子阻挡层(6)、GaN上波导层(7)、Al0.08Ga0.92N上包层(8)构成；所述非掺杂GaN隔离层(9)在所述Al0.08Ga0.92N上包层(8)上分子束外延生长而成；所述GaN基HEMT由在非掺杂GaN隔离层(9)上依次分子束外延生长的非掺杂Al0.15Ga0.85N层(10)、非掺杂GaN通道层(11)、AlN空间隔离层(12)、非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层(13)构成。
申请日期	2014-11-19
专利号	CN104377547A
专利状态	授权
申请号	CN201410665286.5
公开（公告）号	CN104377547A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/06
专利代理人	沈波
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63505
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王智勇,吕朝蕙,王清,等. 一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构. CN104377547A[P]. 2015-02-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104377547A.PDF（805KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文