二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法

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	二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法
其他题名	二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法
	廖开宇; 何君钰; 颜辉
	2013-08-21
专利权人	华南师范大学
公开日期	2013-08-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法，所述系统包括两对反亥姆霍兹线圈、石英真空腔、离子泵、带碱金属释放剂的电流馈通、真空阀、六通接头、第一玻璃窗口、第二玻璃窗口以及第一半导体激光器，所述六通接头的六个开口分别与石英真空腔、离子泵、电流馈通、真空阀、第一玻璃窗口和第二玻璃窗口连接；所述两对反亥姆霍兹线圈分别水平对称放置和竖直对称放置。所述方法使二维磁光阱系统通过冷却光获得长条型的冷原子团，再利用自发辐射四波混频，通过泵浦光和耦合光产生斯托克斯光子和反斯托克斯光子，并对光子进行收集。本发明的二维磁光阱系统制备的窄线宽单光子源线宽为兆赫兹量级，适用于远距离的量子通信。
其他摘要	本发明公开了一种二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法，所述系统包括两对反亥姆霍兹线圈、石英真空腔、离子泵、带碱金属释放剂的电流馈通、真空阀、六通接头、第一玻璃窗口、第二玻璃窗口以及第一半导体激光器，所述六通接头的六个开口分别与石英真空腔、离子泵、电流馈通、真空阀、第一玻璃窗口和第二玻璃窗口连接；所述两对反亥姆霍兹线圈分别水平对称放置和竖直对称放置。所述方法使二维磁光阱系统通过冷却光获得长条型的冷原子团，再利用自发辐射四波混频，通过泵浦光和耦合光产生斯托克斯光子和反斯托克斯光子，并对光子进行收集。本发明的二维磁光阱系统制备的窄线宽单光子源线宽为兆赫兹量级，适用于远距离的量子通信。
主权项	二维磁光阱系统，其特征在于：包括两对反亥姆霍兹线圈(1)、石英真空腔(2)、离子泵(3)、带碱金属释放剂的电流馈通(4)、真空阀(5)、六通接头(6)、第一玻璃窗口(7)、第二玻璃窗口(8)以及用于产生六束冷却光(9)的第一半导体激光器，所述六通接头(6)的六个开口分别与石英真空腔(2)、离子泵(3)、电流馈通(4)、真空阀(5)、第一玻璃窗口(7)和第二玻璃窗口(8)连接；所述两对反亥姆霍兹线圈(1)分别水平对称放置和竖直对称放置以罩住石英真空腔(2)。
申请日期	2013-04-19
专利号	CN103258579A
专利状态	失效
申请号	CN201310139383.6
公开（公告）号	CN103258579A
IPC 分类号	G21K1/00 \| H04B10/70
专利代理人	杨晓松
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63406
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	廖开宇,何君钰,颜辉. 二维磁光阱系统及其制备窄线宽单光子源的方法. CN103258579A[P]. 2013-08-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103258579A.PDF（539KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文