一种微激光二极管阵列的制备方法

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	一种微激光二极管阵列的制备方法
其他题名	一种微激光二极管阵列的制备方法
	徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 石增良; 林毅; 理记涛; 田正山
	2012-07-04
专利权人	东南大学
公开日期	2012-07-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种微激光二极管阵列的制备方法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极，构成完整的器件。
其他摘要	一种微激光二极管阵列的制备方法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极，构成完整的器件。
主权项	一种微激光二极管阵列的制备方法，其特征在于该微激光二极管阵列为n型ZnO微米棒/p型聚合物/p型GaN微激光二极管阵列，该制备方法为：第一步：将纯度均为99.99％的ZnO末和碳粉末按照质量比1∶1混合研磨，取适量的混合物填入陶瓷舟内；将与陶瓷舟开口面积大小接近的硅片经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气冲干，将硅片抛光面朝下覆盖与陶瓷舟上方；随后将陶瓷舟推入温度为1000～1200℃的管式炉中，经过30～60分钟反应，ZnO微米棒阵列生长于硅片表面；或者采用水热法来制备ZnO微米棒阵列；第二步：将p-GaN衬底经过丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气吹干，配制0.1～0.4mg/mL p型半导体聚合物的氯仿溶液，将之旋涂于的p-GaN表面，旋涂速度在2秒钟内由静止状态加速至设定转速2000～4000转/分钟，随后保持该转速15～25秒钟，形成厚度为20～30纳米的p型聚合物薄膜；第三步：从ZnO微米棒阵列中挑选单根ZnO微米棒，将之平放集成至p型聚合物薄膜表面，该层p型聚合物薄膜将上层ZnO微米棒和下层p-GaN有效地连接在一起形成了pn结；第四步：透明导电玻璃经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气冲干，利用电子束蒸镀，在其表面一端镀上20～30纳米厚Au电极，形成良好的欧姆接触，以保证高浓度的载流子注入；第五步：将透明导电玻璃扣在集成好的ZnO微米棒阵列上的，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入透明环氧乙脂，压紧退火，退火温度为120～150摄氏度；第六步：用氯仿或者丙酮把p-GaN的一端上的p型聚合物薄膜洗掉，然后利用电子束蒸镀，镀上两层电极，形成30～40纳米厚度的Ni/Au电极；最后形成n型ZnO微米棒/PVK聚合物/p型GaN异质结微激光二极管阵列。第七步：将制得的pn结器件进行电学性质测量，并测量电泵浦激光光谱。
申请日期	2012-01-17
专利号	CN102545060A
专利状态	授权
申请号	CN201210014194.1
公开（公告）号	CN102545060A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/10 \| H01S5/042
专利代理人	柏尚春
代理机构	南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63377
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	东南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 一种微激光二极管阵列的制备方法. CN102545060A[P]. 2012-07-04.

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CN102545060A.PDF（700KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文