Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 透明导电薄膜及其制备方法 | |
| 其他题名 | 透明导电薄膜及其制备方法 |
李会斌; 王宁 ; 刘星元
| |
| 2008-04-09 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2008-04-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种可广泛应用于液晶显示屏、电致发光显示器、太阳能电池、薄膜晶体管、有机和无机半导体激光器、隔热节能玻璃等技术领域的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜是在主体材料In2O3中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(In2O3:V)，简称为IVO，该IVO材料中V的含量为In质量的0.1％～30％。该薄膜可采用高真空热蒸发、电子束沉积以及溅射等多种镀膜技术制备。该薄膜成膜牢固，具有良好的导电性、可见光透明性和化学稳定性。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种可广泛应用于液晶显示屏、电致发光显示器、太阳能电池、薄膜晶体管、有机和无机半导体激光器、隔热节能玻璃等技术领域的透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜是在主体材料In2O3中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(In2O3:V)，简称为IVO，该IVO材料中V的含量为In质量的0.1％～30％。该薄膜可采用高真空热蒸发、电子束沉积以及溅射等多种镀膜技术制备。该薄膜成膜牢固，具有良好的导电性、可见光透明性和化学稳定性。 |
| 主权项 | 一种透明导电薄膜，其特征在于，是在主体材料In2O3中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(In2O3:V)，简称为IVO，该IVO材料中V与In的质量比为0.1％～30％。 |
| 申请日期 | 2007-11-12 |
| 专利号 | CN101159178A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200710056303.5 |
| 公开（公告）号 | CN101159178A |
| IPC 分类号 | H01B5/14 | H01B1/08 | H01B13/00 | C23C14/24 | C23C14/08 | G09F9/30 | H05B33/28 |
| 专利代理人 | 赵炳仁 |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63240 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李会斌,王宁,刘星元. 透明导电薄膜及其制备方法. CN101159178A[P]. 2008-04-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101159178A.PDF（615KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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