Manufacture of stem for semiconductor laser

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of stem for semiconductor laser
其他题名	Manufacture of stem for semiconductor laser
	SASAKI SATOSHI
	1988-06-20
专利权人	東芝コンポーネンツ株式会社
公开日期	1988-06-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To install with high precision a heat sink on a stem main body and to allow a flattened section of the heat sink and a collapsed section of a lead to be roughly on a same plane for the low cost, easy production of highly reliable stems by a method wherein the heat sink on the stem body and the lead are subjected to a flattening process simultaneously. CONSTITUTION:An end of a heat sink 11 is installed into a fixing hole 12 bored in a stem main body 15 and, into through-holes 11 provided in the main stem body 15, leads 13a and 13b are inserted and fixed therein. A process follows wherein a flattening jig is applied to the heat sink 11 and lead 13a simultaneously for the formation of a flattened section 18 on the heat sink 11 and a collapsed section 19 on the lead 13a. The two resultant flat surfaces are to be found roughly on the same plane. For example, an end of the heat sink 11 is soldered into a fixing hole 12 provided in the stem main body 15, leads 13a and 13b are inserted into the through-holes 11 and are fixed therein by an insulating sealing material 16. Next, an end of the heat sink 11 and an end of the lead 13a are caused to abut against the face of the flattening jig, pressure is generated between the flat face and a press section positioned opposite to the flat face, for the production of the flattened section 18 and collapsed section 19 by plastic deformation.
其他摘要	目的：在阀杆主体上高精度安装散热器，使散热器的扁平部分和导线的折叠部分大致在同一平面上，从而实现低成本，易于生产高度可靠的阀杆通过一种方法，其中杆体上的散热器和引线同时经受平坦化处理。组成：散热器11的一端安装在一个固定在阀杆主体15中的固定孔12中，并且，在设置在主阀杆体15中的通孔11中，引线13a和13b插入并固定在其中。接下来是一个过程，其中平坦化夹具同时施加到散热器11和引线13a，以在散热器11上形成扁平部分18，并在引线13a上形成折叠部分19。两个合成的平坦表面大致位于同一平面上。例如，散热器11的一端焊接到设置在杆主体15中的固定孔12中，引线13a和13b插入通孔11中并通过绝缘密封材料16固定在其中。使散热器11的一端和引线13a的一端抵靠在平坦化夹具的表面上，在平面和与平面相对的压榨部之间产生压力，用于制造扁平面第18节和折叠部分19通过塑性变形。
主权项	-
申请日期	1986-12-11
专利号	JP1988147385A
专利状态	失效
申请号	JP1986293367
公开（公告）号	JP1988147385A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63059
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	東芝コンポーネンツ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	SASAKI SATOSHI. Manufacture of stem for semiconductor laser. JP1988147385A[P]. 1988-06-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988147385A.PDF（170KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文