Ohmic electrode forming method in compound semiconductor

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	Ohmic electrode forming method in compound semiconductor
其他题名	Ohmic electrode forming method in compound semiconductor
	MORI MITSUHIRO; MORI TAKAO; HIRAO MOTONAO; SAITOU KATSUTOSHI; IMAI KUNINORI; CHIBA KATSUAKI; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
	1984-06-21
专利权人	HITACHI SEISAKUSHO KK
公开日期	1984-06-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To provide ohmic electrode with small contact resistance and high reproductivity, by a method wherein on a compound semiconductor crystal with P as main constituent element is formed a high-melting metal layer at a low temperature, and Au layer is formed on the uppermost layer, and then the heat treatment is performed at such temperature and time that the Au layer and the semiconductor crystal do not react to produce alloy. CONSTITUTION:In order to form electrodes in alignment with buried layers 202, 203 and a cap layer 207, an insulation film layer 208 from SiO2 film is formed on a surface, and part of the insulation layer 208 is bored and then a first metal layer 209 is formed by means of vacuum evaporation. A second metal layer 210 of Mo, Pt or the like is formed thereon, and further a third metal layer 211 of Au is formed thereon. The second metal layer 210 is interposed between the first metal layer 209 and the third metal layer 211 of Au used to facilitate the bonding and serves to prevent reaction during the heat treatment. In this constitution, ohmic electrode with good reproductivity and small contact resistance is obtained.
其他摘要	目的：通过一种方法，提供一种接触电阻小，重现性高的欧姆电极，其中以P为主要构成元素的化合物半导体晶体在低温下形成高熔点金属层，在最上层形成Au层然后，在Au层和半导体晶体不反应生成合金的温度和时间下进行热处理。组成：为了形成与埋层202,203和盖层207对齐的电极，在表面上形成来自SiO2薄膜的绝缘薄膜层208，并且对绝缘层208的一部分进行钻孔，然后形成第一金属层209通过真空蒸发形成。在其上形成Mo，Pt等的第二金属层210，并且在其上形成Au的第三金属层211。第二金属层210介于第一金属层209和Au的第三金属层211之间，用于促进键合并用于防止热处理期间的反应。在这种结构中，获得了具有良好再现性和小接触电阻的欧姆电极。
主权项	-
申请日期	1982-12-13
专利号	JP1984107510A
专利状态	失效
申请号	JP1982216826
公开（公告）号	JP1984107510A
IPC 分类号	H01L21/28 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62869
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI SEISAKUSHO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	MORI MITSUHIRO,MORI TAKAO,HIRAO MOTONAO,et al. Ohmic electrode forming method in compound semiconductor. JP1984107510A[P]. 1984-06-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984107510A.PDF（168KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文