Laser display device

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	Laser display device
其他题名	Laser display device
	ITAYA YOSHIO; NAGAI HARUO
	1983-08-16
专利权人	NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA
公开日期	1983-08-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the directivity of laser beams, and to obtain a picture having excellent resolution by independently controlling currents to each laser section. CONSTITUTION:A grating is prepared onto an n type (100)-face InP substrate having 2X10cm concentration through an interference exposure method using an Ar laser or a Ho-Cd laser and etching. A guide layer 13, an active layer 14, an InP layer 15 and lastly a cap layer 16 are grown through a liquid growth method. A SiO2 film is attached onto the grown surface in approximately 1,500Angstrom through a high-frequency (RE) sputtering method or a CVD method, a SiO2 mask is prepared, and these layers are etched up to the InP substrate 5 by a Br ethyl etching liquid. A section mesa-etched through the liquid growth method is buried by a p type InP layer in 2X10cm concentration of 2mum and an n type InP layer in 5X10cm concentration of 2mum. Lead wires for injecting currents for flowing currents are fitted to each of lasers through thermal bonding.
其他摘要	目的：改善激光束的方向性，并通过独立控制每个激光器部分的电流来获得具有出色分辨率的图像。组成：通过使用Ar激光或Ho-Cd激光和蚀刻的干涉曝光方法，在具有2×10 18 cm -3浓度的n型（100）面InP衬底上制备光栅。通过液体生长方法生长引导层13，有源层14，InP层15和最后的盖层16。通过高频（RE）溅射法或CVD法将SiO 2膜附着在生长表面上大约1,500埃，制备SiO 2掩模，并通过Br乙基蚀刻将这些层蚀刻到InP衬底5上液体。通过液体生长方法蚀刻的台面被2×10 17 cm -3浓度为2μm的p型InP层和5×10 17 cm -3浓度为2μm的n型InP层掩埋。用于注入流动电流的引线的引线通过热结合适合于每个激光器。
主权项	-
申请日期	1982-02-12
专利号	JP1983138087A
专利状态	失效
申请号	JP1982020795
公开（公告）号	JP1983138087A
IPC 分类号	H01L27/15 \| G09F9/33 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/187 \| G09F9/30 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62847
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA
推荐引用方式 GB/T 7714	ITAYA YOSHIO,NAGAI HARUO. Laser display device. JP1983138087A[P]. 1983-08-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983138087A.PDF（123KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文