Integrated semiconductor light emitting element

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	Integrated semiconductor light emitting element
其他题名	Integrated semiconductor light emitting element
	KINOSHITA JIYUNICHI
	1983-03-14
专利权人	TOKYO SHIBAURA DENKI KK
公开日期	1983-03-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To constitute an integrated semiconductor laser wherein individual elements are perfectly electrically isolated, by forming a plurality of grooves on a semiconductor substrate. CONSTITUTION:When an etching is kept proceeding on an Fe doped semiinsulating (100) InP substrate 1 by using a reactive etchant, two grooves 2, 2' come to have a junction opening 3 in the substrate. A floating part 4 is in a stripe structure supported by before and behind of the stripe.An N type InP layer 5, an undoped InGaAsP active layer 6, a P type InP layer 7 and a P type InGaAsP contact layer 8 are successively crystal-grown. Since the crystal growing speed at a groove side wall (111) plane A is extremely higher than at plane (100), the active layer 6 becomes crescent. Thereafter, layers 7, 8 obtain the flat growing layer surface as they grow. Further, this wafer is formed into mesa parts 9 by a mesa etching. The mesa part 9 and the contact region 10 for an N side electrode are electrically coupled only at the junction opening 3 being electrified resulting in the constitution of one electrically isolated semiconductor laser at places other than it.
其他摘要	目的：通过在半导体衬底上形成多个凹槽，构成其中各个元件完全电隔离的集成半导体激光器。构成：当通过使用反应性蚀刻剂在Fe掺杂的半绝缘（100）InP衬底1上进行蚀刻时，两个沟槽2,2'在衬底中具有结开口3。浮置部分4是由条纹的前后支撑的条形结构.A型N型InP层5，未掺杂的InGaAsP有源层6，P型InP层7和P +型InGaAsP接触层8连续晶体生长。由于在沟槽侧壁（111）面A处的晶体生长速度远高于在平面（100）处的晶体生长速度，因此有源层6变为新月形。此后，层7,8在它们生长时获得平坦生长层表面。此外，通过台面蚀刻将该晶片形成台面部分9。台面部分9和用于N侧电极的接触区域10仅在通电的连接开口3处电耦合，导致在除了它之外的位置处构成一个电隔离半导体激光器。
主权项	-
申请日期	1981-09-10
专利号	JP1983043591A
专利状态	失效
申请号	JP1981141746
公开（公告）号	JP1983043591A
IPC 分类号	H01L33/08 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62832
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOKYO SHIBAURA DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	KINOSHITA JIYUNICHI. Integrated semiconductor light emitting element. JP1983043591A[P]. 1983-03-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983043591A.PDF（137KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文