Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Integrated semiconductor light emitting element | |
其他题名 | Integrated semiconductor light emitting element |
KINOSHITA JIYUNICHI | |
1983-03-14 | |
专利权人 | TOKYO SHIBAURA DENKI KK |
公开日期 | 1983-03-14 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To constitute an integrated semiconductor laser wherein individual elements are perfectly electrically isolated, by forming a plurality of grooves on a semiconductor substrate. CONSTITUTION:When an etching is kept proceeding on an Fe doped semiinsulating (100) InP substrate 1 by using a reactive etchant, two grooves 2, 2' come to have a junction opening 3 in the substrate. A floating part 4 is in a stripe structure supported by before and behind of the stripe.An N type InP layer 5, an undoped InGaAsP active layer 6, a P type InP layer 7 and a P type InGaAsP contact layer 8 are successively crystal-grown. Since the crystal growing speed at a groove side wall (111) plane A is extremely higher than at plane (100), the active layer 6 becomes crescent. Thereafter, layers 7, 8 obtain the flat growing layer surface as they grow. Further, this wafer is formed into mesa parts 9 by a mesa etching. The mesa part 9 and the contact region 10 for an N side electrode are electrically coupled only at the junction opening 3 being electrified resulting in the constitution of one electrically isolated semiconductor laser at places other than it. |
其他摘要 | 目的:通过在半导体衬底上形成多个凹槽,构成其中各个元件完全电隔离的集成半导体激光器。构成:当通过使用反应性蚀刻剂在Fe掺杂的半绝缘(100)InP衬底1上进行蚀刻时,两个沟槽2,2'在衬底中具有结开口3。浮置部分4是由条纹的前后支撑的条形结构.A型N型InP层5,未掺杂的InGaAsP有源层6,P型InP层7和P +型InGaAsP接触层8连续晶体生长。由于在沟槽侧壁(111)面A处的晶体生长速度远高于在平面(100)处的晶体生长速度,因此有源层6变为新月形。此后,层7,8在它们生长时获得平坦生长层表面。此外,通过台面蚀刻将该晶片形成台面部分9。台面部分9和用于N侧电极的接触区域10仅在通电的连接开口3处电耦合,导致在除了它之外的位置处构成一个电隔离半导体激光器。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1981-09-10 |
专利号 | JP1983043591A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1981141746 |
公开(公告)号 | JP1983043591A |
IPC 分类号 | H01L33/08 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/40 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62832 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | TOKYO SHIBAURA DENKI KK |
推荐引用方式 GB/T 7714 | KINOSHITA JIYUNICHI. Integrated semiconductor light emitting element. JP1983043591A[P]. 1983-03-14. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1983043591A.PDF(137KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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