Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Manufacturing method for semiconductor apparatus | |
其他题名 | Manufacturing method for semiconductor apparatus |
SHIMA YASUHARU; TSUKADA TOSHIHISA; ONOZATO YOUSEI; SATOU TADASHI | |
1976-10-22 | |
专利权人 | HITACHI LTD |
公开日期 | 1976-10-22 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:A semiconductor laser with insulating films on the surfaces other than the bottom is bonded to a recess of the base, thereafter simultaneously providing plural electrode-use windows on the surface. |
其他摘要 | 用途:在底部以外的表面上具有绝缘膜的半导体激光器粘合到基座的凹槽,然后同时在表面上提供多个电极用窗口。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1975-04-16 |
专利号 | JP1976120690A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1975045277 |
公开(公告)号 | JP1976120690A |
IPC 分类号 | H01L21/316 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62744 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | HITACHI LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIMA YASUHARU,TSUKADA TOSHIHISA,ONOZATO YOUSEI,et al. Manufacturing method for semiconductor apparatus. JP1976120690A[P]. 1976-10-22. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1976120690A.PDF(103KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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