Manufacturing method for semiconductor apparatus

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	Manufacturing method for semiconductor apparatus
其他题名	Manufacturing method for semiconductor apparatus
	SHIMA YASUHARU; TSUKADA TOSHIHISA; ONOZATO YOUSEI; SATOU TADASHI
	1976-10-22
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1976-10-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:A semiconductor laser with insulating films on the surfaces other than the bottom is bonded to a recess of the base, thereafter simultaneously providing plural electrode-use windows on the surface.
其他摘要	用途：在底部以外的表面上具有绝缘膜的半导体激光器粘合到基座的凹槽，然后同时在表面上提供多个电极用窗口。
主权项	-
申请日期	1975-04-16
专利号	JP1976120690A
专利状态	失效
申请号	JP1975045277
公开（公告）号	JP1976120690A
IPC 分类号	H01L21/316 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62744
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIMA YASUHARU,TSUKADA TOSHIHISA,ONOZATO YOUSEI,et al. Manufacturing method for semiconductor apparatus. JP1976120690A[P]. 1976-10-22.