GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法

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	GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
其他题名	GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
	梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国
	2008-07-02
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2008-07-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4。
其他摘要	一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4。
主权项	一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使激光器管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4，若是停止测量。
申请日期	2006-12-28
专利号	CN101212125A
专利状态	失效
申请号	CN200610169748.X
公开（公告）号	CN101212125A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/343 \| H01L21/66 \| G01R31/26
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62719
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	梁凌燕,叶小玲,徐波,等. GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法. CN101212125A[P]. 2008-07-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101212125A.PDF（748KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文