Inspection of semiconductor laser element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Inspection of semiconductor laser element
其他题名	Inspection of semiconductor laser element
	NAKAMURA TOMOJI
	1989-09-08
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1989-09-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To simplify a device and inspect it easily at a low cost in a short while, by discriminating the deterioration of oscillation characteristics of a semiconductor laser element on the basis of Roman scattering light in a laser beam which is emitted by using the semiconductor laser element as an excitation source. CONSTITUTION:Using a semiconductor laser element 4a itself to be inspected as an excitation light source, this device is operated by a power source 9. Spectral diffraction is observed through a condenser 3 when Roman scattering light in an emitting laser beam passes through a spectroscope 6 and, after that, it is detected by a detector 8 to take measurements. When its operation is normal, the half-width of it is distinctive; whilst when its operation is abnormal, its half-width extends on the low wave side having a high energy. Thus, the deterioration of an active layer is inspected easily.
其他摘要	目的：通过使用半导体激光器发射的激光束中的罗马散射光来区分半导体激光器元件的振荡特性的恶化，从而简化器件并在短时间内以低成本轻松检查器件。元素作为激发源。组成：使用半导体激光元件4a本身作为激发光源进行检查，该装置由电源9操作。当发射激光束中的罗马散射光通过光谱仪6时，通过聚光器3观察到光谱衍射。之后，检测器8检测它以进行测量。当它的操作正常时，它的半宽是独特的;当其操作异常时，其半宽度在具有高能量的低波侧延伸。因此，容易检查有源层的劣化。
主权项	-
申请日期	1988-03-04
专利号	JP1989225385A
专利状态	失效
申请号	JP1988052010
公开（公告）号	JP1989225385A
IPC 分类号	G01R31/26 \| H01L21/66 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62618
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	NAKAMURA TOMOJI. Inspection of semiconductor laser element. JP1989225385A[P]. 1989-09-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989225385A.PDF（150KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文