高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料

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	高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料
其他题名	高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料
	マーフィー,ジェームズ·エドワード; カマルデッロ,サム·ジョセフ
	2019-07-04
专利权人	ゼネラル·エレクトリック·カンパニイ
公开日期	2019-07-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	照明装置を提示する。上記照明装置は、高パワー密度の青色光を生成することができる半導体光源を含み、上記半導体光源が単一結晶およびセラミックから選択されるモノリシック形態での化学式Iの蛍光体に放射でカップリングされ、Ax(M,Mn)Fy(I)、ここで、AがLi、Na、K、Rb、Cs、またはこれらの組み合わせであり、MがSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd、またはこれらの組み合わせであり、xが[MFy]イオンのチャージの絶対値であり、yが5、6、または7である。【選択図】図1
其他摘要	呈现照明装置。该照明装置包括能够产生高功率密度蓝光的半导体光源，并且半导体光源以选自单晶和陶瓷的单片形式辐射耦合到式I的磷光体。，A （M，Mn）F y（I），其中A是Li，Na，K，Rb，Cs或其组合， M是Si，Ge，Sn，Ti，Zr，Al，Ga，In，Sc，Hf，Y，La，Nb，Ta，Bi，Gd或它们的组合，并且x是[MF < ]是离子电荷的绝对值，y是5,6或7。 [选图]图1
主权项	-
申请日期	2017-05-09
专利号	JP2019519100A
专利状态	申请中
申请号	JP2018558403
公开（公告）号	JP2019519100A
IPC 分类号	H01L33/50 \| C09K11/85 \| C09K11/67 \| C09K11/66 \| C09K11/64 \| C09K11/61 \| C09K11/62 \| C09K11/74 \| C09K11/02 \| C01B33/10 \| C08L101/00 \| C08K3/10 \| H01L33/00 \| H01S5/022 \| F21V9/32 \| F21V9/35 \| F21V9/40 \| F21V9/38 \| F21V9/45 \| F21V7/30 \| F21S41/176 \| F21Y115/10 \| F21Y115/30
专利代理人	荒川聡志 \| 小倉博 \| 田中拓人
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62277
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼネラル·エレクトリック·カンパニイ
推荐引用方式 GB/T 7714	マーフィー,ジェームズ·エドワード,カマルデッロ,サム·ジョセフ. 高パワー密度用途のためのマンガンドープ蛍光体材料. JP2019519100A[P]. 2019-07-04.