半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置

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	半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置
其他题名	半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置
	佐藤俊一; 本村寛; 軸谷直人; 菅原悟
	2015-02-05
专利权人	株式会社リコー
公开日期	2015-02-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】下部半導体DBRは、熱伝導率の大きい低屈折率層103aとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層103bをペアとし、30.5ペアを含む第1の下部半導体DBR1031と、5ペアを含む第2の下部半導体DBR1032と、1ペアを含む第3の下部半導体DBR1033とを有している。第2の下部半導体DBR1032では、低屈折率層103aは3λ/4の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層103bは、λ/4の光学厚さとなるように設定されている。第3の下部半導体DBR1033は、共振器構造体と第2の下部半導体DBR1032との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ/4の光学厚さとなるように設定されている。【選択図】図4
其他摘要	提供一种具有长寿命，高发光效率和优异温度特性的表面发射激光器元件。下半导体DBR具有一对具有大导热率的低折射率层103a和高折射率层103b，其具有低于低折射率层103a的导热率并形成第一下半导体DBR 103 1 ，包括五对的第二下半导体DBR 103 2 ，以及包括一对的第三下半导体DBR 103 3 那里。在第二下半导体DBR 103 2 中，低折射率层103a被设定为具有3λ/ 4的光学厚度，并且高折射率层103b具有λ/ 4的光学厚度。它将被设定为。第三下半导体DBR 103 3 设置在谐振器结构和第二下半导体DBR 103 2 之间，并且每个折射率层是λ / 4如图4所示。点域4
主权项	-
申请日期	2014-09-05
专利号	JP2015026845A
专利状态	授权
申请号	JP2014180964
公开（公告）号	JP2015026845A
IPC 分类号	B41J2/47 \| H01S5/183 \| H01S5/42
专利代理人	立石篤司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61953
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社リコー
推荐引用方式 GB/T 7714	佐藤俊一,本村寛,軸谷直人,等. 半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置. JP2015026845A[P]. 2015-02-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2015026845A.PDF（171KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文