Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光レーザ素子、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザ素子の製造方法、 | |
| 其他题名 | 面発光レーザ素子、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザ素子の製造方法、 |
| 泉谷 一磨; 日野 威; 鳴海 慎也 | |
| 2014-06-05 | |
| 专利权人 | RICOH CO LTD |
| 公开日期 | 2014-06-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 素子の静電破壊を防止できる面発光レーザ素子を提供する。 【解決手段】 面発光レーザ素子100は、基板101と、該基板101上に積層された下部半導体DBR103と、該下部半導体DBR103上に積層された活性層105と、酸化領域108a及び該酸化領域に囲まれた非酸化領域108bを有する選択酸化層108と、該選択酸化層108の直上に形成され、酸化領域108a及び非酸化領域108bの直上に高ドープ領域を有するドーピング層120とを含み、活性層105上に積層された上部半導体DBR107と、を備えている。 【選択図】図4 |
| 其他摘要 | 摘要：要解决的问题：提供一种能够防止元件静电击穿的表面发光激光器件。解决方案：表面发光激光器元件100包括：基板101;层叠在基板101上的下半导体DBR 103;层叠在下半导体DBR 103上的有源层105;选择性氧化层108，其具有氧化区域108a和被氧化区域包围的非氧化区域108b;掺杂层120形成在选择性氧化层108的正上方，并且在氧化区域108a和非氧化区域108b的正上方具有高掺杂区域。表面发光激光器元件100还包括层叠在有源层105上的上半导体DBR 107。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2012-11-20 |
| 专利号 | JP2014103233A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2012253955 |
| 公开（公告）号 | JP2014103233A |
| IPC 分类号 | B41J2/44 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 立石 篤司 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61807 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 泉谷 一磨,日野 威,鳴海 慎也. 面発光レーザ素子、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザ素子の製造方法、. JP2014103233A[P]. 2014-06-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2014103233A.PDF（278KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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