電気的相互接続部及び光学的相互接続部を組み込む半導体ウェハ接合

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	電気的相互接続部及び光学的相互接続部を組み込む半導体ウェハ接合
其他题名	電気的相互接続部及び光学的相互接続部を組み込む半導体ウェハ接合
	エル-ゴーロウリー,フセイン·エス; チュアング,チー-リ; ヤダヴァリ,カメシュワル; ファン,クィアン
	2014-09-11
专利权人	オステンド·テクノロジーズ·インコーポレーテッド
公开日期	2014-09-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	接合されるウェハの間で接合面にわたって電気及び光信号が転送されることを必要とする半導体ウェハを接合する方法を提供する。半導体ウェハの接合方法は、接合されるウェハ間で電気及び光信号を転送するための電気的相互接続ビア及び光学的相互接続ビアの両方をウェハ接合界面内に形成することを含む。電気的ビアは、接合面にわたって融合する複数の金属層から各々が構成された複数の金属ポストを用いて、接合面にわたって形成される。光学的ビアは、各々が接合界面にわたって融合し、且つ、接合されたウェハ間の誘電体中間接合層の屈折率より大きい屈折率を有する誘電体材料から構成される複数の導光路を用いて、接合面にわたって形成される。電気的ビア及び光学的ビアは、接合されるウェハ間の電気信号及び光信号の両方の均一な転送を可能にするように、接合されたウェハ間の接合面全域にわたって散在する。【選択図】図3A
其他摘要	用于接合半导体晶片的方法，其需要通过在一个晶片上与第二晶片上的光学互连件相互作用光学互连件，将一个晶片上的电互连件与第二晶片上的电互连件接合，在接合的晶片之间和跨接合界面传递电和光信号，以及将一个晶片上的介电中间结合层与第二晶片上的介电中间结合层相互熔合，以将晶片与晶片之间的电互连和光学互连结合在一起。该方法也适用于半导体晶片的接合，以在晶片之间提供高密度的电互连。
主权项	-
申请日期	2012-05-04
专利号	JP2014523632A
专利状态	授权
申请号	JP2014510381
公开（公告）号	JP2014523632A
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L27/12 \| H01S5/026 \| B23K20/00 \| G02B6/122
专利代理人	山川政樹 \| 山川茂樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61773
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	オステンド·テクノロジーズ·インコーポレーテッド
推荐引用方式 GB/T 7714	エル-ゴーロウリー,フセイン·エス,チュアング,チー-リ,ヤダヴァリ,カメシュワル,等. 電気的相互接続部及び光学的相互接続部を組み込む半導体ウェハ接合. JP2014523632A[P]. 2014-09-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2014523632A.PDF（275KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文