光発振装置及び記録装置

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	光発振装置及び記録装置
其他题名	光発振装置及び記録装置
	藤田五郎; 丸山務
	2013-02-04
专利权人	SONY CORP
公开日期	2013-02-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】GaInN/GaN/AlGaN材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部2と、ゲイン電流を注入するゲイン部3を含む自励発振半導体レーザ1と、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ1の過飽和吸収体部2に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部45を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部2に印加する。【選択図】図1
其他摘要	本发明的一个目的是提供一种光振荡装置和一种记录装置，其中利用简单的结构可以容易地获得所需的脉冲光频率。包括过饱和吸收体部分2的自持振荡，所述过饱和吸收体部分2具有由GaInN / GaN / AlGaN材料制成并施加负偏压的双量子阱分离的限制异质结构，以及注入增益电流的增益部分3。基于半导体激光器1与从自振荡半导体激光器1发射的振荡光的相位和主时钟信号之间的相位差，将负偏压施加到自激振荡半导体激光器1的过饱和吸收器部分2。光振荡装置和记录装置被配置为包括控制的控制单元45。然后，在振荡周期中，将作为负偏压的期望周期中波动的周期电压施加到过饱和吸收器部分2。 [选图]图1
主权项	-
申请日期	2011-07-19
专利号	JP2013025836A
专利状态	失效
申请号	JP2011158323
公开（公告）号	JP2013025836A
IPC 分类号	G11B7/125 \| G11B7/1267 \| H01S5/0625 \| G11B7/1263 \| H01S5/065
专利代理人	特許業務法人信友国際特許事務所
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61720
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	藤田五郎,丸山務. 光発振装置及び記録装置. JP2013025836A[P]. 2013-02-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2013025836A.PDF（486KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文