Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子および光装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光装置 |
| 長尾 泰志 | |
| 2012-12-20 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 2012-12-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子100(半導体レーザ素子)は、略平坦な表面10bと、表面10bの反対側に形成された表面10aと、表面10bと表面10aとの間に形成された活性層12とを含む半導体レーザ素子部10と、半導体レーザ素子部10の略平坦な表面10b上に形成されたn側電極30とを備える。そして、n側電極30は、表面10bと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面30bと、下面30bの反対側に形成された上面30aと、上面30aに形成されるとともに下面30bに向かって窪む凹部35とを含む。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光元件，其允许抑制半导体激光元件部件中裂缝和芯片的出现。解决方案：蓝紫色半导体激光元件100（半导体激光元件）包括：半导体激光元件部件图10所示的实施例包括基本平坦的表面10b，形成在表面10b的相对侧的表面10a，以及形成在表面10a和表面10b之间的有源层12;形成在半导体激光元件部分10的基本上平坦的表面10b上的n侧电极30.n侧电极30包括底面30b，底面30b在面向表面10b的基本上整个区域上基本上是平的，顶面如图30a所示，形成在底表面30b的相对侧上的凹槽35和凹槽35形成在顶表面30a中并朝向底表面30b凹陷。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2011-06-03 |
| 专利号 | JP2012253205A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2011124893 |
| 公开（公告）号 | JP2012253205A |
| IPC 分类号 | G11B7/125 | H01S5/22 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | 宮園 博一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61713 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長尾 泰志. 半導体レーザ素子および光装置. JP2012253205A[P]. 2012-12-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2012253205A.PDF（187KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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