面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置

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	面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置
其他题名	面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置
	福山博
	2010-09-24
专利权人	株式会社リコー
公开日期	2010-09-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】GaAsコンタクト層の厚さが20nm程度以下である780nm帯又は780nm帯以下に発光波長を有する面発光レーザにおいて、GaAsコンタクト層がダメージを受けることによるコンタクト抵抗の増大や黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性が得られる面発光レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板1上に、下部半導体多層膜反射鏡3、下部スペーサ層4、活性層5、上部スペーサ層6、上部半導体多層膜反射鏡8、コンタクト層9を順に積層した積層膜を形成する積層膜形成工程と、コンタクト層9上に化合物半導体を含む第1の保護膜10を形成する第1の保護膜形成工程と、積層膜の形状を加工する形状加工工程と、形状加工工程の後、第1の保護膜10をエッチングしてコンタクト層9を露出させる第1の保護膜エッチング工程とを有する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：为了提供包括厚度约为20nm或更小并且发光波长为780nm波段或等于或小于780nm波段的GaAs接触层的表面发射激光器，表面发射激光器通过避免接触电阻的增加和由于GaAs接触层的损坏引起的黑化现象，具有低电阻的稳定特性;并提供一种制造它的方法。解决方案：表面发射激光器的制造方法包括层叠膜形成步骤，该步骤通过在化合物半导体衬底1上依次层叠下半导体多层膜反射镜3，下间隔层4，形成层叠膜，有源层5，上间隔层6，上半导体多层膜反射镜8和接触层9;第一保护膜形成步骤，在接触层9上形成包括化合物半导体的第一保护膜10;处理层压膜形状的形状加工步骤;以及在形状加工工艺之后通过蚀刻第一保护膜10来暴露接触层9的第一保护膜蚀刻步骤。Ž
主权项	-
申请日期	2009-03-11
专利号	JP2010212515A
专利状态	失效
申请号	JP2009058483
公开（公告）号	JP2010212515A
IPC 分类号	B41J2/44 \| H01S5/183
专利代理人	伊東忠彦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61553
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社リコー
推荐引用方式 GB/T 7714	福山博. 面発光レーザ及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置並びに画像形成装置. JP2010212515A[P]. 2010-09-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010212515A.PDF（426KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文