半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置

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	半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置
其他题名	半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置
	山路太平; 多賀谷直大; 須田修平
	2010-02-18
专利权人	SEIWA ELECTRIC MFG CO LTD
公开日期	2010-02-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】従来よりも効率良く光を取り出すことができる半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。【解決手段】基板1表面には、アンドープGaN層2、n型半導体層3、活性層4、p型半導体層5がこの順に積層した半導体層30を形成してある。半導体層30の一部には、p型半導体層5及び活性層4をエッチングなどにより除去して露出したn型半導体層3の表面にオーミック電極9を形成してある。基板1上にボンディング電極(nパッド)7を形成してあり、ボンディング電極7は、オーミック電極9を覆うようにして延設され、オーミック電極9に接続してある。半導体層30の他の一部の側面には、半導体層30の外周側面を被覆する被覆膜11を形成してあり、被覆膜11が形成された半導体層30の近傍には、基板1上にボンディング電極(pパッド)8を形成してある。【選択図】図2
其他摘要	本发明提供一种半导体发光器件，发光器件，照明器件和能够比传统方法更有效地提取光的显示器件。在基板1的表面上形成半导体层30，在该半导体层30中依次层叠未掺杂的GaN层2，n型半导体层3，有源层4和p型半导体层5。通过在半导体层30的一部分上通过蚀刻等去除p型半导体层5和有源层4，在n型半导体层3的表面上形成欧姆电极9。在基板1上形成接合电极（n焊盘）7，并且接合电极7延伸以覆盖欧姆电极9并连接到欧姆电极9。用于覆盖半导体层30的外周侧表面的覆盖膜11形成在半导体层30的侧表面的另一部分上，并且基板1设置在其上形成有覆盖膜11的半导体层30附近。在顶部形成接合电极（p焊盘）8。 [选择图]图2
主权项	-
申请日期	2008-08-07
专利号	JP2010040937A
专利状态	失效
申请号	JP2008204675
公开（公告）号	JP2010040937A
IPC 分类号	F21Y101/02 \| F21S2/00 \| H01S5/042 \| H01L33/36
专利代理人	河野登夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61518
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIWA ELECTRIC MFG CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	山路太平,多賀谷直大,須田修平. 半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置. JP2010040937A[P]. 2010-02-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010040937A.PDF（208KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文