半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置
	福久敏哉; 古川秀利
	2008-03-13
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2008-03-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】同一基板上に、共振器長の異なる複数の半導体レーザ素子部を形成する。【解決手段】半導体基板101上の第1素子形成領域に、エッチング促進層113、第1n型クラッド層102、第1活性層103、第1p型クラッド層104を堆積して第1積層構造を形成し、第2素子形成領域に、第2n型クラッド層108、第2活性層109、第2p型クラッド層110を堆積し、劈開により、第2素子形成領域上に両端面に反射鏡を有する第2レーザ素子部121を形成するとともに、第1素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第1レーザ素子部素材部を形成し、第1レーザ素子部素材部の端面から所定深さ、エッチング促進層113を除去し、その除去されたエッチング促進層113があった領域上にある第1積層構造の部分を劈開によって除去し、共振方向の長さが第2レーザ素子部121よりも短い第1レーザ素子部120を形成する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：在同一基板上形成具有各种长度的谐振器的多个半导体激光元件部件。解决方案：制造半导体激光器件的方法包括通过沉积蚀刻促进剂层113，第一n型包覆层102，第一有源层103和第一p型包覆层来形成第一层压结构的步骤104在半导体衬底101上的第一元件形成区域中;通过在第二元件形成区域的两端形成具有反射镜的第二激光元件部分121，通过在第二元件形成区域中沉积和切割第二n型包层108，第二有源层109和第二p型包层110。第二元素形成区;形成第一激光元件材料部分，该第一激光元件材料部分在第一元件形成区域中的一侧具有反射镜，在另一侧具有端面;从第一激光元件材料部分的端面去除蚀刻促进剂层113到预定深度;在去除的蚀刻促进剂层113通过解理所在的区域上去除第一层压结构的一部分;并且形成第一激光元件部分120，其长度在共振方向上短于第二激光元件部分121的长度
主权项	-
申请日期	2006-08-30
专利号	JP2008060272A
专利状态	失效
申请号	JP2006234463
公开（公告）号	JP2008060272A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/026 \| G11B7/22 \| H01S5/323 \| H01S5/02
专利代理人	松田正道
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61360
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	福久敏哉,古川秀利. 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置. JP2008060272A[P]. 2008-03-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008060272A.PDF（145KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文