半導体レーザ素子およびその製造方法、光ディスク装置、光伝送システム

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	半導体レーザ素子およびその製造方法、光ディスク装置、光伝送システム
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法、光ディスク装置、光伝送システム
	岸本克彦
	2005-12-22
专利权人	SHARP CORP
公开日期	2005-12-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】高い発振効率を有し、低消費電力でかつ高出力動作が可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。【解決手段】電極115と低濃度半導体層であるp-InGaAsP半導体層111との間の合金層116を介したオーミック接合により低コンタクト抵抗を得る。上記電極115と高濃度半導体層であるp+-GaAsコンタクト層114との間の合金層116を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性を得る。上記Niを含む合金層116が、Au原子の半導体層中への拡散を防止する共に、半導体層と電極115との界面の平坦性の悪化を防止して、半導体層111やコンタクト層114および半導体層と電極115との界面での内部散乱や吸収損失をなくす。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供具有高振荡效率的半导体激光器元件，能够降低功耗并实现高输出操作，并提供其制造方法。解决方案：通过电极115和低浓度的p-InGaAsP半导体层111之间的合金层116获得欧姆结的低接触电阻。通过肖特基结经由电极115和作为高浓度半导体层的p + / / GaAs-GaAs接触层114之间的合金层116获得优异的电流收缩流。在防止含有Ni的合金层116扩散到半导体层中的同时，通过防止半导体层111或接触层114与电极115之间的界面处的内部分散和吸收损失，消除了内部分散和吸收损失。半导体层和电极115之间的界面平坦度
主权项	-
申请日期	2004-06-08
专利号	JP2005353678A
专利状态	失效
申请号	JP2004170069
公开（公告）号	JP2005353678A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/042 \| G11B7/125
专利代理人	山崎宏 \| 前田厚司 \| 仲倉幸典
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61098
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	岸本克彦. 半導体レーザ素子およびその製造方法、光ディスク装置、光伝送システム. JP2005353678A[P]. 2005-12-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005353678A.PDF（164KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文