ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム

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	ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム
其他题名	ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム
	山田孝夫
	2004-10-28
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	2004-10-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	２以上のストライプ構造１６及び１６’を１チップ内に設け、第１のストライプ構造１６の緩和振動周波数ｆｒ１とし、、第２のストライプ構造１６’の緩和振動周波数ｆｒ２として、ｆｒ１をｆｒ２よりも大きくする。緩和振動周波数の大きな第１のストライプ構造１６によって低出力でのＲｉｎ値を良好とし、緩和振動の小さな第２のストライプ構造１６’によって高出力での横モードシングル性と信頼性を確保する。
其他摘要	在一个芯片中形成两个或更多个条纹结构，并且第一条纹结构的弛豫振荡频率大于第二条纹结构的弛豫振荡频率。通过具有较高弛豫振荡频率的第一条纹结构改善低输出处的RIN值，并且通过具有较低弛豫振荡频率的第二条纹结构获得单个横向模式和高输出时的可靠性。
主权项	-
申请日期	2001-07-02
专利号	JPWO2003005515A1
专利状态	失效
申请号	JP2003511367
公开（公告）号	JPWO2003005515A1
IPC 分类号	H01S5/22 \| G11B7/125 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/40
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60680
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山田孝夫. ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム. JPWO2003005515A1[P]. 2004-10-28.