半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム

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	半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム
其他题名	半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム
	軸谷直人
	2002-12-20
专利权人	株式会社リコー
公开日期	2002-12-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】発振閾値電流が小さく、高い特性温度をもち、ビーム品質が良く、放射ビーム形状が真円に近い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 GaAsとGaPとの間の格子定数を有する(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1Asz1P1-z1(0≦x1≦1、0.5y2In1-y2Asz2P1-z2(0
其他摘要	要解决的问题：提供具有小振荡阈值电流和高特征温度的半导体激光器元件，并辐射具有圆形形状的高质量激光束。解决方案：该边发射型半导体激光元件具有（Alx1 Ga1-x1）y1 In1-y1 Asz1 P1-z1包层（其中，0 <= x1 <= 1,0.5
主权项	-
申请日期	2001-06-05
专利号	JP2002368335A
专利状态	失效
申请号	JP2001169279
公开（公告）号	JP2002368335A
IPC 分类号	H01S5/20 \| G11B7/125
专利代理人	植本雅治
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60665
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社リコー
推荐引用方式 GB/T 7714	軸谷直人. 半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム. JP2002368335A[P]. 2002-12-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2002368335A.PDF（234KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文