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半導体レーザ素子及びその形成方法。
其他题名半導体レーザ素子及びその形成方法。
妹尾 雅之; 清久 裕之; 松下 俊雄
2002-04-12
专利权人NICHIA CHEM IND LTD
公开日期2002-04-12
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】効率が高くビーム特性の優れた光を取り出すことができるレーザ素子及びその形成方法を提供する。 【解決手段】基板上に一対の共振面が形成された活性層を含む第1の半導体と、共振面と対向すると共に基板水平方向に対して傾斜した角度の端面を有する第2の半導体とを備えた半導体レーザ素子ある。
其他摘要要解决的问题:提供一种效率优异并且能够投射具有优异性能的激光束的激光装置及其制造方法。解决方案:半导体激光器件配备有第一半导体,第一半导体包括在衬底上具有一对谐振平面的有源层,以及具有边缘面的第二半导体,所述边缘面面对谐振平面并与衬底的水平方向形成角度。
主权项-
申请日期2000-11-16
专利号JP2002111128A
专利状态失效
申请号JP2000349648
公开(公告)号JP2002111128A
IPC 分类号H01S5/323 | G11B7/135 | H01S5/343 | H01S5/18 | G11B7/125
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60542
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NICHIA CHEM IND LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
妹尾 雅之,清久 裕之,松下 俊雄. 半導体レーザ素子及びその形成方法。. JP2002111128A[P]. 2002-04-12.
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