Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置 |
| 野村 康彦; 後藤 壮謙; 古沢 浩太郎; 林 伸彦; 田尻 敦志; 井上 泰明; 庄野 昌幸 | |
| 2000-12-08 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。 【解決手段】 MQW活性層7中に不純物としてSi、SeまたはZnが5×1015〜1×1019cm-3の範囲内で添加されている。MQW活性層7中の量子井戸層71の合計の厚みは20nm以上80nm以下に設定される。MQW活性層7の量子井戸層71の数は4以上7以下である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有改进的低噪声特性，降低的工作电流，改善的温度特性和可靠性的半导体激光器件，包括半导体激光器件的光发射/接收单元和光学拾取器件。 解决方案：在MQW有源层7中，Si，Se或Zn的掺杂量为5×10 15 至1×10 19 cm -3 的范围内添加。 MQW有源层7中的量子阱层71的总厚度设定为20nm或更大且80nm或更小。 MQW有源层7的量子阱层71的数量为4个以上且7个以下。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2000-02-23 |
| 专利号 | JP2000340894A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2000046448 |
| 公开（公告）号 | JP2000340894A |
| IPC 分类号 | G11B7/135 | H01S5/343 | H01S5/065 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 福島 祥人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60363 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村 康彦,後藤 壮謙,古沢 浩太郎,等. 半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置. JP2000340894A[P]. 2000-12-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000340894A.PDF（153KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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