半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置

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	半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置
其他题名	半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置
	粂雅博; 木戸口勲; 伴雄三郎; 宮永良子; 鈴木政勝
	2003-05-09
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2003-05-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒化物半導体レーザ装置が発する雑音、特に光学的雑音を確実に低減できるようにする。【解決手段】窒化物半導体レーザ装置1Aは、素子形成面が絶縁性を有する炭化シリコンからなるサブマウント2の上面と対向するように実装されている。n型コンタクト層13の下面における素子形成領域には、活性層から放出される自然放出光を吸収するエネルギーギャップを持つn型Inx Ga1-x Nからなる自然放出光吸収層15Aと、活性層において生成される生成光を活性層に閉じ込めると共に電子を活性層に閉じ込めるためのn型AlGaNからなるn型クラッド層16と、閉じ込められた電子及び正孔を再結合させて再結合光を生成するIny Ga1-y N(但し、y及びxは0
其他摘要	要解决的问题：确保降低由氮化物半导体激光器件产生的噪声，特别是光学噪声。解决方案：氮化物半导体激光器件1A被安装成面对由碳化硅形成的子底座2的顶面，该子底座2的元件形成面具有绝缘特性。在n型接触层13的下表面上的元件形成区域中，由n型Inx Ga1-x N形成的自发光吸收层15A具有这样的能隙，以吸收从发射的自发光发射的光。活动层;由n型AlGaN形成的n型覆层16，用于将有源层中产生的光限制在有源层中，同时将电子限制在有源层中;由Iny Ga1-y N形成的有源层17，其中0
主权项	-
申请日期	2000-01-31
专利号	JP2003133648A
专利状态	失效
申请号	JP2002263104
公开（公告）号	JP2003133648A
IPC 分类号	H01S5/323 \| G11B7/125
专利代理人	前田弘 (外7名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60355
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,木戸口勲,伴雄三郎,等. 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置. JP2003133648A[P]. 2003-05-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003133648A.PDF（161KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文