半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置

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	半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
其他题名	半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
	辻村歩; 長谷川義晃; 石橋明彦; 木戸口勲; 鈴木政勝; 伴雄三郎
	2003-02-07
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2003-02-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。【解決手段】多重量子井戸活性層15は、基板側から、膜厚が3nmでInの混晶比が0.1のGaInNからなる井戸層151が3層と、各井戸層151の間に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.02のAlGaNからなる障壁層152と、3層目の井戸層151の上面に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.15のAlGaNからなる保護層153とから構成されている。また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。
其他摘要	要解决的问题：抑制III族氮化物半导体发光器件的量子阱有源层中产生的凹坑的产生，并提高电子和空穴注入量子阱有源层的效率。多量子阱活性层具有三层GaInN，膜厚度为3nm，与基板侧的In为0.1的混合晶体比率，在阱层之间形成三层，由AlGaN制成的阻挡层152具有5nm的厚度和Al的混合晶体比率0.02，并且AlGaN形成在第三阱层151的上表面上并且具有5nm的厚度并且Al的混合晶体比率为0.15并且保护层153。当使用MOVPE方法生长多量子阱有源层15时，使用三乙基镓作为镓源。
主权项	-
申请日期	1999-12-28
专利号	JP2003037338A
专利状态	失效
申请号	JP2002125786
公开（公告）号	JP2003037338A
IPC 分类号	H01S5/323 \| G11B7/135 \| H01S5/343 \| G11B7/125
专利代理人	前田弘 (外7名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60346
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	辻村歩,長谷川義晃,石橋明彦,等. 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置. JP2003037338A[P]. 2003-02-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003037338A.PDF（141KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文