光ピックアップ用半導体レーザ装置及びその製造方法

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	光ピックアップ用半導体レーザ装置及びその製造方法
其他题名	光ピックアップ用半導体レーザ装置及びその製造方法
	山田茂博
	1998-08-07
专利权人	SHARP CORP
公开日期	1998-08-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】従来の装置では、部品点数が多い上、ロウ材の酸化により各部品のボンディング強度が劣化するという問題点があった。【解決手段】サブマウント1の半導体レーザ素子104搭載部に、搭載部から素子付け部101にまで貫通する半導体レーザ素子104の下面の面積よりも小さい径のスルーホール2が形成され、スルーホール2の内部にロウ材3が充填されてなる構造とする。製造に際しては、サブマウント1にスルーホール2を形成し、スルーホール2の内部にワイヤ状のロウ材3’を挿入し、加熱によりワイヤ状のロウ材3’を溶融させることによって半導体レーザ素子104、サブマウント1及び素子付け部101を固定するようにする。
其他摘要	要解决的问题：通过减少用于电连接的金线来减少零件数量和工艺数量，而不使用箔状态的钎料作为通常的另一部分。解决方案：该装置被构造成使得在半导体激光器元件104上形成尺寸小于半导体激光器元件104的下表面的区域的通孔2从装载部分穿透到元件附接部分101在底座1的一部分中，钎料金属填充在通孔2的内部。制造时，在子底座1上形成通孔2，并形成线状的钎料金属3插入到通孔2的内部，并且通过加热熔化线状钎料3来固定半导体激光元件104，子底座1和元件附接部分101。
主权项	-
申请日期	1997-01-29
专利号	JP1998208270A
专利状态	失效
申请号	JP1997014913
公开（公告）号	JP1998208270A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	梅田勝
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60058
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	山田茂博. 光ピックアップ用半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1998208270A[P]. 1998-08-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998208270A.PDF（49KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文