III-V族化合物半導体膜の形成方法

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	III-V族化合物半導体膜の形成方法
其他题名	III-V族化合物半導体膜の形成方法
	武部敏彦; 藤井元忠; 山本悌二; 藤田和久; 小林規矩男
	1994-03-11
专利权人	株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所
公开日期	1994-03-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】 MBE法を用いてIII-V族化合物半導体膜の結晶を段差を有する基板上に成長させるときに余分なファセットが出現せず、しかも元の段差の傾斜部の角度を保持して結晶を成長させることができる方法を提供する。【構成】 GaAs基板の(111)A面上に正三角形状のレジストパターンの1辺がGaAs基板の劈開面に対して垂直な方向に平行となるようにレジストマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成されたGaAs基板に対して選択エッチング処理を行って、その各辺の近傍に(111)A面に対して28°≦θ≦33°の範囲の傾斜角θだけ傾斜する斜面を有する段差を形成し、マスクパターンを除去し、GaAs基板及び斜面上にMBE法を用いてIII-V族化合物半導体膜を形成する。
其他摘要	[目的]当使用MBE方法在具有台阶的基板上生长III-V族化合物半导体膜的晶体时，不出现额外的小平面，并且在保持原始台阶的倾斜角度的同时保持晶体。提供一种成长方式在GaAs衬底的（111）A表面上形成抗蚀剂掩模图案，使得等边三角形抗蚀剂图案的一侧平行于垂直于GaAs衬底的解理面的方向。对形成的GaAs衬底执行选择性蚀刻工艺，并且在其每一侧附近执行具有相对于（111）A平面在28°≤θ≤33°的范围内倾斜倾斜角θ的斜面的台阶。然后，去除掩模图案，并使用MBE在GaAs衬底和斜面上形成III-V族化合物半导体膜。
主权项	-
申请日期	1992-08-18
专利号	JP1994069129A
专利状态	失效
申请号	JP1992219081
公开（公告）号	JP1994069129A
IPC 分类号	H01L21/20 \| B41J13/10 \| H01L21/203 \| G03G15/00 \| B41J17/30 \| B65H27/00 \| B41J15/04 \| B41J13/076 \| B65H3/06 \| B65H3/04 \| B65H20/06 \| H01S5/00 \| B65H5/06 \| H01S3/18
专利代理人	青山葆 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59803
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	武部敏彦,藤井元忠,山本悌二,等. III-V族化合物半導体膜の形成方法. JP1994069129A[P]. 1994-03-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994069129A.PDF（54KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文