Phase-locked array semiconductor laser

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	Phase-locked array semiconductor laser
其他题名	Phase-locked array semiconductor laser
	TATENO KIMIO; TSUNODA YOSHITO
	1987-07-01
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1987-07-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a far-field pattern of single peak by applying thin films which offer phase shift of lambda/2 on every other oscillation edge planes. CONSTITUTION:On an edge plane 4 of phase-locked array laser, thin films 5 which causes phase shift of lambda/2 are applied on every other light emitting points to make a phase 6 of a wave front of a projected beam flat. For example, there is a method in which SiO2 is applied by sputtering and this is easy. The thickness is determined so that an optical path length, i.e. a refractive index multiplied by the thickness becomes equal to lambda/2. If the phase becomes flat by such a method, a far-field pattern 7 of the projected beam becomes what has a single peak. If this is applied to an optical system in a laser beam printer or an optical disc, the beam of extremely high output can be obtained with high efficiency.
其他摘要	目的：通过应用薄膜获得单峰的远场模式，薄膜在每个其他振荡边缘平面上提供λ/ 2的相移。组成：在锁相阵列激光器的边缘平面4上，在每个其他发光点上施加导致λ/ 2相移的薄膜5，以使投影光束的波前的相位6平坦。例如，有一种方法，其中通过溅射施加SiO 2，这很容易。确定厚度使得光程长度，即折射率乘以厚度变得等于λ/ 2。如果通过这种方法相位变平，则投射光束的远场图案7变为具有单个峰值的图案。如果将其应用于激光束打印机或光盘中的光学系统，则可以高效地获得极高输出的光束。
主权项	-
申请日期	1985-12-23
专利号	JP1987147790A
专利状态	失效
申请号	JP1985287729
公开（公告）号	JP1987147790A
IPC 分类号	H01S5/00 \| G06K15/12 \| G11B7/125 \| G11B7/127 \| H01S3/00 \| H01S5/028 \| H01S5/40 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59441
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	TATENO KIMIO,TSUNODA YOSHITO. Phase-locked array semiconductor laser. JP1987147790A[P]. 1987-07-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987147790A.PDF（71KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文