Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Driving method of semiconductor laser | |
其他题名 | Driving method of semiconductor laser |
MIZOGUCHI YASUMITSU; TSUNODA YOSHITO; SENOO HIROMI; TAKASAGO MASAHIRO | |
1983-10-25 | |
专利权人 | 株式会社日立製作所 |
公开日期 | 1983-10-25 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To form recording pits in an accurate shape, by superposing a pulse wave having large leading-edge amplitude upon a DC bias and thus generating a driving current for a semiconductor laser. CONSTITUTION:The semiconductor laser is supplied with the current generated by superposing the pulse currents IW1 and IW2 upon the DC bias current IR. Consequently, the leading-edge amplitude of pulses is increased to form accurate recording pits in an optical disk. |
其他摘要 | 目的:通过在DC偏压上叠加具有大前沿振幅的脉冲波,从而为半导体激光器产生驱动电流,从而形成精确形状的记录凹坑。组成:半导体激光器通过在直流偏置电流IR上叠加脉冲电流IW1和IW2产生的电流。因此,脉冲的前沿幅度增加,以在光盘中形成精确的记录凹坑。 |
主权项 | - |
申请日期 | 1982-04-16 |
专利号 | JP1983182144A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1982062413 |
公开(公告)号 | JP1983182144A |
IPC 分类号 | G11B7/00 | G11B7/004 | G11B7/12 | G11B7/125 | G11B7/126 | H01S5/042 | H01S5/068 | H01S3/096 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59297 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社日立製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | MIZOGUCHI YASUMITSU,TSUNODA YOSHITO,SENOO HIROMI,et al. Driving method of semiconductor laser. JP1983182144A[P]. 1983-10-25. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1983182144A.PDF(93KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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