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Driving method of semiconductor laser
其他题名Driving method of semiconductor laser
MIZOGUCHI YASUMITSU; TSUNODA YOSHITO; SENOO HIROMI; TAKASAGO MASAHIRO
1983-10-25
专利权人株式会社日立製作所
公开日期1983-10-25
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To form recording pits in an accurate shape, by superposing a pulse wave having large leading-edge amplitude upon a DC bias and thus generating a driving current for a semiconductor laser. CONSTITUTION:The semiconductor laser is supplied with the current generated by superposing the pulse currents IW1 and IW2 upon the DC bias current IR. Consequently, the leading-edge amplitude of pulses is increased to form accurate recording pits in an optical disk.
其他摘要目的:通过在DC偏压上叠加具有大前沿振幅的脉冲波,从而为半导体激光器产生驱动电流,从而形成精确形状的记录凹坑。组成:半导体激光器通过在直流偏置电流IR上叠加脉冲电流IW1和IW2产生的电流。因此,脉冲的前沿幅度增加,以在光盘中形成精确的记录凹坑。
主权项-
申请日期1982-04-16
专利号JP1983182144A
专利状态失效
申请号JP1982062413
公开(公告)号JP1983182144A
IPC 分类号G11B7/00 | G11B7/004 | G11B7/12 | G11B7/125 | G11B7/126 | H01S5/042 | H01S5/068 | H01S3/096
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/59297
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
MIZOGUCHI YASUMITSU,TSUNODA YOSHITO,SENOO HIROMI,et al. Driving method of semiconductor laser. JP1983182144A[P]. 1983-10-25.
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