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經脈衝的線性射束
其他题名經脈衝的線性射束
哈登 詹姆士M M.; 卡爾森 史考特R R.; 馬汀森 羅伯特J J.
2014-09-16
专利权人N萊特股份有限公司
公开日期2014-09-16
授权国家中国台湾
专利类型发明申请
摘要諸如退火非晶矽以形成多晶矽的製程使用藉由雷射二極體或雷射二極體陣列所提供的經脈衝的雷射射束曝光。將基於來自各自的雷射二極體的複數個射束的光學射束整形並且定向到基板。雷射二極體的負載循環被選擇為小於約0.2,以便s可以大於在連續波操作可用的。剛性或柔性基板上的非晶矽層被處理以產生具有至少50 cm2/Vs的遷移率的多晶矽層。
其他摘要諸如退火非晶矽以形成多晶矽的製程使用藉由雷射二極體或雷射二極體陣列所提供的經脈衝的雷射射束曝光。將基於來自各自的雷射二極體的複數個射束的光學射束整形並且定向到基板。雷射二極體的負載循環被選擇為小於約0.2,以便s可以大於在連續波操作可用的。剛性或柔性基板上的非晶矽層被處理以產生具有至少50 cm2/Vs的遷移率的多晶矽層。
主权项-
申请日期2014-02-19
专利号TW201435971A
专利状态授权
申请号TW103105391
公开(公告)号TW201435971A
IPC 分类号H01L21/02 | H01L21/268 | B23K26/062 | B23K26/352
专利代理人閻啟泰 | 林景郁
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58915
专题半导体激光器专利数据库
作者单位N萊特股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
哈登 詹姆士M M.,卡爾森 史考特R R.,馬汀森 羅伯特J J.. 經脈衝的線性射束. TW201435971A[P]. 2014-09-16.
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