レーザー熱加工装置および方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	レーザー熱加工装置および方法
其他题名	レーザー熱加工装置および方法
	アンドリューエム. ハウリールク; ウェイジアンワン; デイビッドジー. スティテス; ユチュエフォン
	2012-02-02
专利权人	ULTRATECH STEPPER INC
公开日期	2012-02-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザー熱加工装置および方法を提供すること。【解決手段】1つ以上のワークピース領域を有するワークピースのレーザー熱加工(LTP)を実施する装置である。この装置は、1000より多い空間モードを有し、かつ1ナノセカンドと1マイクロセカンドの間の時間パルス長を伴う1つ以上の放射パルスを放出し得る、パルス化した半導体光源、ワークピースを支持するためのワークピースステージ、および露光領域を有する照明光学系を備える。この系は、露光領域内で、±5%未満の放射度均一性を有する1つ以上の放射パルスを用いて、1つ以上のワークピース領域の少なくとも1つを照射するように、レーザー光源とワークピースステージとの間に配置される。【選択図】なし
其他摘要	要解决的问题：提供激光热处理设备和方法。一种用于执行具有一个或多个工件区域的工件的激光热处理（LTP）的设备。该装置包括脉冲半导体光源，其能够发射一个以上的空间模式并发射一个或多个辐射脉冲，其时间脉冲长度在1到2微秒之间，支持工件用于移动工件的工件台和具有曝光区域的照明光学系统。该系统包括激光光源和激光光源，以在曝光区域内用一个或多个辐射脉冲照射一个或多个工件区域中的至少一个，辐射均匀性小于±5％和工件阶段。【选择图】无
主权项	-
申请日期	2011-10-13
专利号	JP2012023397A
专利状态	失效
申请号	JP2011226032
公开（公告）号	JP2012023397A
IPC 分类号	B23K26/00 \| H01L21/268 \| B23K26/073 \| B23K26/06 \| B23K26/08
专利代理人	山本秀策 \| 安村高明 \| 森下夏樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58720
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ULTRATECH STEPPER INC
推荐引用方式 GB/T 7714	アンドリューエム. ハウリールク,ウェイジアンワン,デイビッドジー. スティテス,等. レーザー熱加工装置および方法. JP2012023397A[P]. 2012-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2012023397A.PDF（75KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文