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先進材料処理応用のためのピコ秒-ナノ秒パルス用高エネルギ光ファイバ増幅器
其他题名先進材料処理応用のためのピコ秒-ナノ秒パルス用高エネルギ光ファイバ増幅器
マーチン イー ファーマン; イングマー ハール; ジェナディ イメシェフ; ラジェッシュ エス パテル
2010-12-16
专利权人イムラ アメリカ インコーポレイテッド
公开日期2010-12-16
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】高エネルギピコ秒、ナノ秒パルス用ファイバベース光源の構築を目的とする。 【解決手段】ファイバ増幅器での非線形エネルギ制限を最小化することで、光ファイバの損傷閾値に近いパルスエネルギが発生され得る。少なくとも一つの非線形ファイバ増幅器を含む増幅器チェーンと共に最適化されたシード光源を実施することは、バンド幅制限近い高エネルギピコ秒パルスの発生を可能にする。高エネルギパルス化されるファイバ増幅器の最適化シード光源は、半導体レーザも伸長モードロックファイバレーザも含む。ファイバ増幅器から得られるパルスエネルギの最大化は、さらに高繰り返し周期で高エネルギ紫外、赤外パルスの発生を可能にする。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:为高能皮秒和纳秒脉冲构建基于光纤的光源。 ŽSOLUTION:通过最小化光纤放大器中的非线性能量限制,可以产生接近光纤损伤阈值的脉冲能量。结合包括至少一个非线性光纤放大器的放大器链的优化种子源的实现允许产生接近带宽限制的高能皮秒脉冲。用于高能脉冲光纤放大器的优化种子源包括半导体激光器以及拉伸模式锁定光纤激光器。可从光纤放大器获得的脉冲能量的最大化进一步允许以高重复率产生高能紫外和IR脉冲。 Ž
主权项-
申请日期2010-09-17
专利号JP2010283392A
专利状态失效
申请号JP2010209309
公开(公告)号JP2010283392A
IPC 分类号G02F1/35 | H01S3/115 | G02F1/39 | H01S3/23 | B23K26/40 | H01S3/00 | B23K26/06 | B23K26/36 | H01S3/06
专利代理人岡部 讓 | 岡部 正夫 | 加藤 伸晃 | 朝日 伸光 | 三山 勝巳
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58572
专题半导体激光器专利数据库
作者单位イムラ アメリカ インコーポレイテッド
推荐引用方式
GB/T 7714
マーチン イー ファーマン,イングマー ハール,ジェナディ イメシェフ,等. 先進材料処理応用のためのピコ秒-ナノ秒パルス用高エネルギ光ファイバ増幅器. JP2010283392A[P]. 2010-12-16.
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