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レーザ光検出回路及び光ディスク装置
其他题名レーザ光検出回路及び光ディスク装置
栗原 塁; 川島 貴宏
2011-11-10
专利权人オンセミコンダクター·トレーディング·リミテッド
公开日期2011-11-10
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】光ディスク装置の動作停止モードにおいて、半導体レーザ1のレーザ光の強度を抑制して半導体レーザ1の破壊を防止する。 【解決手段】レーザ光検出回路3は、フォトダイオード10、電流電圧変換回路11、前段の増幅回路12、出力段の第1の増幅回路13、第2の増幅回路14、第1の出力端子15、第2の出力端子16,入力端子17、第1のスイッチング素子24及び第2のスイッチング素子25を含んで構成される。動作停止モードの場合、第1のスイッチング素子24及び第2のスイッチング素子25はオンするように構成されている。第1のスイッチング素子24及び第2のスイッチング素子25がオンすると、第1の出力端子15の第1の出力電圧Vopは電源電圧Vccに設定され、第2の出力端子16の第2の出力電圧Vonは接地電圧Vssに設定される。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:为了防止在非工作模式的光盘装置中,通过限制来自半导体激光器1的激光束的强度来破坏半导体激光器解决方案:激光束检测电路3包括:光电二极管10,电流 - 电压转换器电路11,前置放大器电路12,输出级的第一放大器电路13,第二放大器电路14,第一输出端子15,第二输出端子16,输入端子17,第一开关元件24和第二开关元件25.其配置使得第一开关元件24和第二开关元件25在非工作模式下接通。当第一开关元件24和第二开关元件25导通时,第一输出端子15的第一输出电压Vop被设置为源电压Vcc,第二输出端子16的第二输出电压Von被设置为接地电压Vss。 Ž
主权项-
申请日期2010-04-16
专利号JP2011227952A
专利状态失效
申请号JP2010095010
公开(公告)号JP2011227952A
IPC 分类号G11B7/125
专利代理人須藤 克彦
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/58527
专题半导体激光器专利数据库
作者单位オンセミコンダクター·トレーディング·リミテッド
推荐引用方式
GB/T 7714
栗原 塁,川島 貴宏. レーザ光検出回路及び光ディスク装置. JP2011227952A[P]. 2011-11-10.
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