边发射激光器耦合结构及其制作方法

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	边发射激光器耦合结构及其制作方法
其他题名	边发射激光器耦合结构及其制作方法
	何慧敏; 孙瑜; 刘丰满
	2018-11-23
专利权人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
公开日期	2018-11-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种边发射激光器耦合结构及其制作方法，其中所述方法包括：在第一基板表面开设至少一个凹槽；相应地，凹槽两侧形成凸起；在至少一个凸起的第一表面设置布线结构及边发射激光器；其中，凸起的第一表面为槽口所在的一侧表面；将至少一个凸起从第一基板上切割下来，得到块体；将块体贴装至第二基板的第一表面，并且使块体的第二表面朝向第二基板的第一表面；第一基板的第一表面上或第二表面一侧设置有待耦合器件的入光面，第二表面与第一表面相对设置。通过本发明，能够大批量生产出一种边发射激光器耦合结构，使得边发射激光器的出射光不经反射直接射向待耦合器件的入光面。
其他摘要	本发明公开了一种边发射激光器耦合结构及其制作方法，其中所述方法包括：在第一基板表面开设至少一个凹槽；相应地，凹槽两侧形成凸起；在至少一个凸起的第一表面设置布线结构及边发射激光器；其中，凸起的第一表面为槽口所在的一侧表面；将至少一个凸起从第一基板上切割下来，得到块体；将块体贴装至第二基板的第一表面，并且使块体的第二表面朝向第二基板的第一表面；第一基板的第一表面上或第二表面一侧设置有待耦合器件的入光面，第二表面与第一表面相对设置。通过本发明，能够大批量生产出一种边发射激光器耦合结构，使得边发射激光器的出射光不经反射直接射向待耦合器件的入光面。
主权项	一种边发射激光器耦合结构的制作方法，其特征在于，包括：在第一基板表面开设至少一个凹槽；相应地，凹槽两侧形成凸起；在至少一个凸起的第一表面设置布线结构及边发射激光器；其中，所述凸起的第一表面为槽口所在的一侧表面；将所述至少一个凸起从所述第一基板上切割下来，得到块体；相应地，所述凸起的第一表面对应为所述块体的第一表面，所述凸起上与所述凸起的第一表面相邻的第二表面对应为所述块体的第二表面；将所述块体贴装至第二基板的第一表面，并且使所述块体的第二表面朝向所述第二基板的第一表面；所述第一基板的第一表面上或第二表面一侧设置有待耦合器件的入光面，所述第二表面与所述第一表面相对设置。
申请日期	2018-08-01
专利号	CN108879329A
专利状态	申请中
申请号	CN201810864256.5
公开（公告）号	CN108879329A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	李博洋
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57956
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	何慧敏,孙瑜,刘丰满. 边发射激光器耦合结构及其制作方法. CN108879329A[P]. 2018-11-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108879329A.PDF（1479KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文