一种晶圆级电子元器件及其封装方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种晶圆级电子元器件及其封装方法
其他题名	一种晶圆级电子元器件及其封装方法
	黄向向; 道格拉斯·斯巴克斯; 关健
	2017-04-26
专利权人	罕王微电子(辽宁)有限公司
公开日期	2017-04-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种晶圆级电子元器件；在硅片晶圆基板(1)上布置有激光发射装置(2)、反射镜(3)、集成电路(4)且上述三者皆被封装在由玻璃晶圆镜头(5)、硅晶圆对峙架(6)和硅片晶圆基板(1)共同封闭的封装内腔(7)中；硅片晶圆基板(1)槽底布置有激光发射装置(2)、集成电路(4)；硅片晶圆基板(1)的槽底与凹槽外凸上表面之间设置有过渡斜面(11)；过渡斜面(11)上设置有过渡斜面(11)。本发明还要求保护所述晶圆级电子元器件的封装方法。本发明简化各部分结构，为优化布置提供了更多可能性和更好的技术基础；相关电子元器件的结构明显变化，体积更小，技术效果更好。
其他摘要	一种晶圆级电子元器件；在硅片晶圆基板(1)上布置有激光发射装置(2)、反射镜(3)、集成电路(4)且上述三者皆被封装在由玻璃晶圆镜头(5)、硅晶圆对峙架(6)和硅片晶圆基板(1)共同封闭的封装内腔(7)中；硅片晶圆基板(1)槽底布置有激光发射装置(2)、集成电路(4)；硅片晶圆基板(1)的槽底与凹槽外凸上表面之间设置有过渡斜面(11)；过渡斜面(11)上设置有过渡斜面(11)。本发明还要求保护所述晶圆级电子元器件的封装方法。本发明简化各部分结构，为优化布置提供了更多可能性和更好的技术基础；相关电子元器件的结构明显变化，体积更小，技术效果更好。
主权项	一种晶圆级电子元器件；其封装基础是硅片晶圆基板(1)，其上布置有激光发射装置(2)、反射镜(3)、集成电路(4)且上述三者皆被封装在由玻璃晶圆镜头(5)、硅晶圆对峙架(6)和硅片晶圆基板(1)共同封闭的封装内腔(7)中；激光发射装置(2)连接着集成电路(4)，玻璃晶圆镜头(5)和硅片晶圆基板(1)之间通过硅晶圆对峙架(6)密封连接为一体；其特征在于：所述晶圆级电子元器件中，硅片晶圆基板(1)为一侧开口的凹槽式结构，其槽底上布置有激光发射装置(2)、集成电路(4)；硅片晶圆基板(1)的槽底与凹槽外凸上表面之间设置有过渡斜面(11)；过渡斜面(11)上设置有以湿法腐蚀硅工艺制备得到的硅斜面，并在硅斜面的基础上沉积金属制作得到具有反射激光能力的过渡斜面(11)，即以沉积金属层后的该过渡斜面(11)用作所述晶圆级电子元器件的反射镜(3)。
申请日期	2015-10-15
专利号	CN106602402A
专利状态	申请中
申请号	CN201510665707.9
公开（公告）号	CN106602402A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/028
专利代理人	樊南星
代理机构	沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57828
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	罕王微电子(辽宁)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	黄向向,道格拉斯·斯巴克斯,关健. 一种晶圆级电子元器件及其封装方法. CN106602402A[P]. 2017-04-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106602402A.PDF（109KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文