一种高偏超辐射发光二极管

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	一种高偏超辐射发光二极管
其他题名	一种高偏超辐射发光二极管
	刘占元; 陈硕; 王爱民; 古丽娟
	2015-03-25
专利权人	国家电网公司
公开日期	2015-03-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种高偏超辐射发光二极管，包括管壳、管壳内的部件和光隔离器，所述光隔离器包括保偏光纤、第二透镜、偏振片、磁环、旋光晶体，所述光隔离器集成与所述管壳内，通过在发光管内管芯之后增加透镜、偏振片、旋光晶体和磁环，即把光隔离器的空间元件集成在超辐射二极管管壳内的热沉基底之上，这样不仅能够减小系统的空间体积，降低费用，同时热沉的控温能够确保整体系统的稳定性和可靠性；同时利用高消光比的偏振片来进一步提高管芯本身出光的消光比使得整个发光管的输出光的消光比达到30dB以上，能够实现自带隔离器功能的超辐射发光二极管，提高器件的集成性和稳定性的同时，也能保证高消光比保偏光纤输出。
其他摘要	本发明公开了一种高偏超辐射发光二极管，包括管壳、管壳内的部件和光隔离器，所述光隔离器包括保偏光纤、第二透镜、偏振片、磁环、旋光晶体，所述光隔离器集成与所述管壳内，通过在发光管内管芯之后增加透镜、偏振片、旋光晶体和磁环，即把光隔离器的空间元件集成在超辐射二极管管壳内的热沉基底之上，这样不仅能够减小系统的空间体积，降低费用，同时热沉的控温能够确保整体系统的稳定性和可靠性；同时利用高消光比的偏振片来进一步提高管芯本身出光的消光比使得整个发光管的输出光的消光比达到30dB以上，能够实现自带隔离器功能的超辐射发光二极管，提高器件的集成性和稳定性的同时，也能保证高消光比保偏光纤输出。
主权项	一种高偏超辐射发光二极管，包括管壳、管壳内的部件和光隔离器，所述光隔离器包括保偏光纤(1)、第二透镜(8)、偏振片(6)、磁环(7)、旋光晶体(9)，其特征在于，所述光隔离器集成与所述管壳内。
申请日期	2014-12-04
专利号	CN104466663A
专利状态	申请中
申请号	CN201410730153.1
公开（公告）号	CN104466663A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/06
专利代理人	徐国文
代理机构	北京安博达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57798
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	国家电网公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘占元,陈硕,王爱民,等. 一种高偏超辐射发光二极管. CN104466663A[P]. 2015-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104466663A.PDF（615KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文