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Semiconductor laser device, and method and program for driving semiconductor laser device
其他题名Semiconductor laser device, and method and program for driving semiconductor laser device
AWANE, YUSUKE; NISHIMURA, KATSUMI; SHIBUYA, KYOJI
2019-06-20
专利权人HORIBA, LTD.
公开日期2019-06-20
授权国家世界知识产权组织
专利类型发明申请
摘要The present invention suppresses fluctuation of the oscillation wave number of a semiconductor laser element due to being affected by ambient temperature. The present invention is provided with: a semiconductor laser element 2; a temperature adjustment section 32 that adjusts the temperature of the semiconductor laser element 2; a temperature sensor 4 that detects the temperature of the temperature adjustment section 32; and a temperature control device 5 that controls a supply signal to the temperature adjustment section 32 so that the detection temperature of the temperature sensor 4 is a predetermined target temperature. The temperature control device 5 changes the target temperature of the temperature adjustment section 32 corresponding to the supply signal to the temperature adjustment section 32.
其他摘要本发明抑制了由于受环境温度影响而引起的半导体激光元件的振荡波数的波动。本发明提供:半导体激光元件2;温度调节部分32,调节半导体激光元件2的温度;温度传感器4检测温度调节部分32的温度;温度控制装置5控制向温度调节部分32的供应信号,使得温度传感器4的检测温度是预定的目标温度。温度控制装置5将与供应信号对应的温度调节部32的目标温度改变到温度调节部32。
主权项-
申请日期2018-09-20
专利号WO2019116660A1
专利状态未确认
申请号PCT/JP2018/034924
公开(公告)号WO2019116660A1
IPC 分类号H01S5/0687 | G01N21/3504 | H01S5/024
专利代理人NISHIMURA, RYUHEI
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57742
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HORIBA, LTD.
推荐引用方式
GB/T 7714
AWANE, YUSUKE,NISHIMURA, KATSUMI,SHIBUYA, KYOJI. Semiconductor laser device, and method and program for driving semiconductor laser device. WO2019116660A1[P]. 2019-06-20.
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