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Devices with quantum dots
其他题名Devices with quantum dots
LIANG, DI; KURCZVEIL, GEZA; BEAUSOLEIL, RAYMOND G.; FIORENTINO, MARCO
2019-03-21
专利权人HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP
公开日期2019-03-21
授权国家美国
专利类型发明申请
摘要An example method of manufacturing a semiconductor device. A first wafer may be provided that includes a first layer that contains quantum dots. A second wafer may be provided that includes a buried dielectric layer and a second layer on the buried dielectric layer. An interface layer may be formed on at least one of the first layer and the second layer, where the interface layer may be an insulator, a transparent electrical conductor, or a polymer. The first wafer may be bonded to the second wafer by way of the interface layer.
其他摘要制造半导体器件的示例方法。可以提供第一晶片,其包括含有量子点的第一层。可以提供第二晶片,其包括掩埋介电层和掩埋介电层上的第二层。界面层可以形成在第一层和第二层中的至少一个上,其中界面层可以是绝缘体,透明电导体或聚合物。第一晶片可以通过界面层结合到第二晶片。
主权项A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a first wafer that includes a first layer that contains quantum dots; providing a second wafer that includes a buried dielectric layer and a second layer on the buried dielectric layer; forming an interface layer on at least one of the first layer and the second layer; and bonding the first wafer to the second wafer by way of the interface layer, wherein the interface layer is one of: an insulator, a transparent electrical conductor, and a polymer.
申请日期2018-09-14
专利号US20190089129A1
专利状态申请中
申请号US16/132070
公开(公告)号US20190089129A1
IPC 分类号H01S5/343 | H01S3/23 | H01S3/063 | H01S5/02 | H01S5/34 | H01S5/042 | H01S5/32 | H01S5/347 | H01S5/026 | H01S5/10
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57738
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP
推荐引用方式
GB/T 7714
LIANG, DI,KURCZVEIL, GEZA,BEAUSOLEIL, RAYMOND G.,et al. Devices with quantum dots. US20190089129A1[P]. 2019-03-21.
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